參數(shù)資料
型號： HMC356LP3E
廠商： HITTITE MICROWAVE CORP
元件分類： 放大器
英文描述： 350 MHz - 550 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
封裝： 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, PLASTIC, SMT, QFN-16
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： HMC356LP3E
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824
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Fax: 978-250-3373
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Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com
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-
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7
7 - 47
Broadband Gain & Return Loss
Gain vs. Temperature
Noise Figure vs. Temperature
Reverse Isolation
Gain vs. Vdd
Noise Figure vs. Vdd
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
25
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
S21
S11
S22
RESPONSE
(dB)
FREQUENCY (GHz)
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
0.3
0.35
0.4
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0.6
+25 C
+85 C
-40 C
GAIN
(dB)
FREQUENCY (GHz)
10
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13
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18
19
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0.45
0.5
0.55
0.6
+5.0 V
+4.5 V
+5.5 V
GAIN
(dB)
FREQUENCY (GHz)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0.3
0.35
0.4
0.45
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0.55
0.6
+4.5 V
+5.0 V
+5.5 V
NOI
SE
FI
GURE
(dB)
FREQUENCY (GHz)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
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1.1
1.2
1.3
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1.5
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NOI
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FREQUENCY (GHz)
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0.4
0.45
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0.55
0.6
+25 C
+85 C
-40 C
ISOLATION
(dB)
FREQUENCY (GHz)
HMC356LP3 / 356LP3E
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE
AMPLIFIER, 350 - 550 MHz
v03.0610
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PDF描述
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HMC384LP4E 2050 MHz - 2250 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER
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參數(shù)描述
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HMC3587LP3BETR 功能描述:RF Amplifier IC General Purpose 4GHz ~ 10GHz 12-SMT (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 頻率:4GHz ~ 10GHz P1dB:11dBm 增益:14.5dB 噪聲系數(shù):4.5dB RF 類型:通用 電壓 - 電源:5V 電流 - 電源:47mA 測試頻率:4GHz ~ 5GHz 封裝/外殼:12-VFQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:12-SMT（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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