型號(hào): | HGTP2N120CND |
廠商: | INTERSIL CORP |
元件分類(lèi): | 功率晶體管 |
英文描述: | 13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs(13A, 1200V,NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
中文描述: | 13 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
文件頁(yè)數(shù): | 6/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 92K |
代理商: | HGTP2N120CND |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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HGTP5N120CN | 25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT(25A, 1200V,NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
HGTP7N60B3D | 72 MACROCELL 3.3 VOLT ISP CPLD |
HGTP7N60B3D | 3.3V 72-mc CPLD |
HGTP8P50G1 | 8A, 500V P-Channel IGBTs |
HI-15530CLI | Manchester Encoder / Decoder |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HGTP2N120CNS | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
HGTP3N60A4 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT NPT Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
HGTP3N60A4_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
HGTP3N60A4D | 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
HGTP3N60A4D9A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |