參數(shù)資料
型號(hào)： HGTP20N35G3VL
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述： 20 A, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： HGTP20N35G3VL
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTP20N35G3VL, HGT1S20N35G3VL, HGT1S20N35G3VLS Rev. B
HGTP20N35G3VL, HGT1S20N35G3VL, HGT1S20N35G3VLS
FIGURE 13. CAPACITANCE AS A FUNCTION OF COLLECTOR-
EMITTER VOLTAGE
FIGURE 14. GATE CHARGE WAVEFORMS
FIGURE 15. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE, JUNCTION TO CASE
FIGURE 16. BREAKDOWN VOLTAGE AS A FUNCTION OF
GATE - EMITTER RESISTANCE
Typical Performance Curves
(Continued)
C
0
5
10
15
20
25
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
FREQUENCY = 1MHz
C
IES
C
OES
C
RES
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
Q
G
, GATE CHARGE (nC)
12
10
8
6
4
2
0
6
5
1
0
4
3
2
0
10
20
30
40
V
G
,
I
G
REF = 1.022mA, R
L
= 1.2
, T
C
= +25
o
C
V
C
,
V
CE
= 4V
V
CE
= 8V
V
CE
= 12V
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-1
10
1
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
0.5
0.1
SINGLE PULSE
0.01
0.05
0.2
Z
θ
J
,
0.02
0
2000
4000
6000
8000
10000
335
340
345
350
R
GE
, GATE-TO-EMITTER RESISTANCE (V)
B
C
,
I
CER
= 10mA
T
C
= +25
o
C AND +175
o
C
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTP20N60A4 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP20N60A4 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP20N60B3 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTP20N60C3 45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTP20N60B3 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGTP20N36G3VL 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs
HGTP20N60A4 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP20N60B3 功能描述:IGBT 晶體管 TO-220 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP20N60B3R4035 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTP20N60C3 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
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