參數(shù)資料
型號(hào)： HGTP20N35G3VL
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述： 20 A, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 209K
代理商： HGTP20N35G3VL
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTP20N35G3VL, HGT1S20N35G3VL, HGT1S20N35G3VLS Rev. B
HGTP20N35G3VL, HGT1S20N35G3VL, HGT1S20N35G3VLS
FIGURE 9. LEAKAGE CURRENT AS A FUNCTION OF
JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 10. TURN-OFF TIME AS A FUNCTION OF
JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. SELF CLAMPED INDUCTIVE SWITCHING
CURRENT AS A FUNCTION OF INDUCTANCE
FIGURE 12. SELF CLAMPED INDUCTIVELY SWITCHING
ENERGY AS A FUNCTION OF INDUCTANCE
Typical Performance Curves
(Continued)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
L
+25
+50
+75
+100
+125
+150
+175
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
V
ECS
= 20V
V
CES
= 250V
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
+175
+150
+125
+100
+75
+50
+25
10
12
14
16
18
t
(
,
V
CL
= 300V, R
GE
= 25
, V
GE
= 5V, L= 550μH
I
CE
= 6A, R
L
= 50
I
CE
=15A, R
L
= 20
I
CE
=10A, R
L
= 30
INDUCTANCE (mH)
0
2
4
6
8
10
40
30
20
10
5
I
C
,
35
25
15
V
GE
= 5V
+25
o
C
+175
o
C
45
0
2
4
6
8
10
400
600
800
1000
INDUCTANCE (mH)
E
A
,
+25
o
C
+175
o
C
V
GE
= 5V
200
1200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTP20N60A4 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP20N60A4 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP20N60B3 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTP20N60C3 45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTP20N60B3 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HGTP20N60B3 功能描述:IGBT 晶體管 TO-220 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP20N60B3R4035 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTP20N60C3 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
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