參數(shù)資料
型號： HGTP20N35G3VL
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述： 20 A, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： HGTP20N35G3VL
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTP20N35G3VL, HGT1S20N35G3VL, HGT1S20N35G3VLS Rev. B
HGTP20N35G3VL, HGT1S20N35G3VL, HGT1S20N35G3VLS
Typical Performance Curves
FIGURE 1. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 2. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 3. COLLECTOR-EMITTER CURRENT AS A FUNCTION
OF SATURATION VOLTAGE
FIGURE 4. COLLECTOR-EMITTER CURRENT AS A FUNCTION
OF SATURATION VOLTAGE
I
C
,
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
10
2
3
4
5
40
20
0
6
30
50
1
PULSE DURATION = 250
μ
s, DUTY CYCLE <0.5%, V
CE
= 10V
T
C
= +25
o
C
T
C
= +175
o
C
T
C
= -40
o
C
I
C
,
100
80
60
40
20
0
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
V
GE
=10V
7V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
PULSE DURATION = 250
μ
s, DUTY CYCLE <0.5%, T
C
= +25
o
C
I
C
,
V
CE(SAT)
, SATURATION VOLTAGE (V)
T
C
= +175
o
C
V
GE
= 5.0V
V
GE
= 4.5V
0
1
2
3
4
0
10
20
30
40
V
GE
= 4.0V
4
3
2
1
0
40
30
20
10
0
I
C
,
V
CE(SAT)
, SATURATION VOLTAGE (V)
5
V
GE
= 4.5V
-40
o
C
+25
o
C
+175
o
C
50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTP20N60A4 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP20N60A4 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP20N60B3 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTP20N60C3 45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTP20N60B3 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
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參數(shù)描述
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HGTP20N60B3 功能描述:IGBT 晶體管 TO-220 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP20N60B3R4035 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTP20N60C3 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
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