參數(shù)資料
型號(hào)： HGTP1N120CN
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT(6.2A, 1200V, NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 6.2 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 77K
代理商： HGTP1N120CN
6
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 16. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
FIGURE 17. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
5
10
15
20
25
0
50
C
100
150
250
300
200
350
C
IES
C
OES
C
RES
FREQUENCY = 1MHz
I
C
,
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
4
0
2
0
4
10
2
6
8
6
8
10
12
V
GE
= 15V
V
GE
= 14V
V
GE
= 13V
PULSE DURATION = 250
μ
s
DUTY CYCLE < 0.5%, T
C
= 110
o
C
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
0.005
0.01
1.0
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
10
-5
2.0
0.1
t
1
t
2
P
D
SINGLE PULSE
0.1
0.5
0.05
0.01
0.02
0.2
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 18. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 19. SWITCHING TEST WAVEFORMS
R
G
= 82
L = 4mH
V
DD
= 960V
+
-
RHRD4120
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
I
CE
HGTD1N120CNS, HGTP1N120CN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTP20N35G3VL 20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs
HGTP20N35G3VL 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP20N60A4 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP20N60A4 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP20N60B3 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGTP1N120CND 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTP20N35F3ULR3935 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HGTP20N35F3VL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTP20N35G3VL 功能描述:IGBT 晶體管 Coil Dri 20A 350V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP20N36G3VL 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs
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