參數(shù)資料
型號： HGT1S1N120CNDS
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT(6.2A, 1200V, NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管（帶反并行超快速二極管）)
中文描述： 6.2 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： HGT1S1N120CNDS
6
FIGURE 17. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
FIGURE 18. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
FIGURE 19. RECOVERY TIMES vs FORWARD CURRENT
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
0.005
0.01
1.0
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
10
-5
2.0
0.1
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.1
0.5
0.05
0.01
0.02
0.2
I
E
,
1
0.1
0.5
2
5
V
EC
, FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0
0.8
1.2
1.6
2.0
0.2
T
C
= -55
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
t
40
0
10
60
70
I
EC
, FORWARD CURRENT (A)
5
4
3
2
1
0.5
20
50
30
T
C
= 25
o
C, dI
EC
/dt = 200A/
μ
s
t
rr
t
a
t
b
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 20. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 21. SWITCHING TEST WAVEFORMS
R
G
= 82
L = 4mH
V
DD
= 960V
+
-
RHRD4120
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON
I
CE
HGTP1N120CND, HGT1S1N120CNDS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTP1N120CN 6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT(6.2A, 1200V, NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
HGTP20N35G3VL 20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs
HGTP20N35G3VL 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP20N60A4 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP20N60A4 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGT1S1N120CNDS9A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 6.2A I(C) | TO-263AB
HGT1S20N35F3VLR4505 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HGT1S20N35G3VL 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs
HGT1S20N35G3VLS 功能描述:IGBT 晶體管 Coil Dr 20A 350V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1S20N35G3VLS9A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 380V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263AB
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