參數(shù)資料
型號： HEF4518BT
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 通用總線功能
英文描述： Dual BCD counter
封裝： HEF4518BP<SOT38-4 (DIP16)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT38-4.html<1<Always Pb-free,;HEF4518BT<SOT109-1 (SO16)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT109-1.html<1<week
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： HEF4518BT
HEF4518B_6
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 10 December 2009
5 of 14
NXP Semiconductors
HEF4518B
Dual BCD counter
8.
Limiting values
[1]
For DIP16 package: P
tot
derates linearly with 12 mW/K above 70
°
C.
For SO16 package: P
tot
derates linearly with 8 mW/K above 70
°
C.
[2]
9.
Recommended operating conditions
10. Static characteristics
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DD
supply voltage
I
IK
input clamping current
V
I
input voltage
I
OK
output clamping current
I
I/O
input/output current
I
DD
supply current
T
stg
storage temperature
T
amb
ambient temperature
P
tot
total power dissipation
Limiting values
Conditions
Min
0.5
-
0.5
-
-
-
65
40
Max
+18
±
10
V
DD
+ 0.5
±
10
±
10
50
+150
+85
750
500
100
Unit
V
mA
V
mA
mA
mA
°
C
°
C
mW
mW
mW
V
I
<
0.5 V or V
I
> V
DD
+ 0.5 V
V
O
<
0.5 V or V
O
> V
DD
+ 0.5 V
DIP16 package
SO16 package
per output
[1]
-
[2]
-
P
power dissipation
-
Table 5.
Symbol
V
DD
V
I
T
amb
Δ
t/
Δ
V
Recommended operating conditions
Parameter
supply voltage
input voltage
ambient temperature
input transition rise and fall rate
Conditions
Min
3
0
40
-
-
-
Typ
-
-
-
-
-
-
Max
15
V
DD
+85
3.75
0.5
0.08
Unit
V
V
°
C
μ
s/V
μ
s/V
μ
s/V
in free air
V
DD
= 5 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 15 V
Table 6.
V
SS
= 0 V; V
I
= V
SS
or V
DD
unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Static characteristics
Conditions
V
DD
T
amb
=
40
°
C
Min
3.5
7.0
11.0
-
-
-
T
amb
= 25
°
C
Min
3.5
7.0
11.0
-
-
-
T
amb
= 85
°
C
Min
3.5
7.0
11.0
-
-
-
Unit
Max
-
-
-
1.5
3.0
4.0
Max
-
-
-
1.5
3.0
4.0
Max
-
-
-
1.5
3.0
4.0
V
IH
HIGH-level input voltage
|
I
O
|
< 1
μ
A
5 V
10 V
15 V
5 V
10 V
15 V
V
V
V
V
V
V
V
IL
LOW-level input voltage
|
I
O
|
< 1
μ
A
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