參數(shù)資料
型號(hào)： HEF4518BP
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 通用總線(xiàn)功能
英文描述： Dual BCD counter
封裝： HEF4518BP<SOT38-4 (DIP16)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT38-4.html<1<Always Pb-free,;HEF4518BT<SOT109-1 (SO16)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT109-1.html<1<week
文件頁(yè)數(shù)： 7/14頁(yè)
文件大?。?/td> 132K
代理商： HEF4518BP
HEF4518B_6
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 10 December 2009
7 of 14
NXP Semiconductors
HEF4518B
Dual BCD counter
[1]
The typical values of the propagation delay and transition times are calculated from the extrapolation formulas shown (C
L
in pF).
t
W
pulse width
nCP0 input LOW;
minimum width;
see
Figure 5
5 V
10 V
15 V
5 V
10 V
15 V
5 V
10 V
15 V
5 V
10 V
15 V
5 V
10 V
15 V
5 V
10 V
15 V
5 V
10 V
15 V
60
30
20
60
30
20
30
20
16
50
30
20
50
30
20
50
30
20
8
15
20
30
15
10
30
15
10
15
10
8
25
15
10
25
15
10
25
15
10
16
30
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MHz
MHz
MHz
nCP1 input HIGH;
minimum width;
see
Figure 5
nMR input HIGH;
minimum width;
see
Figure 5
t
rec
recovery time
nMR input; see
Figure 5
t
su
set-up time
nCP0 to nCP1;
see
Figure 5
nCP1 to nCP0;
see
Figure 5
f
max
maximum
frequency
nCP0, nCP1;
see
Figure 5
Table 7.
V
SS
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; for test circuit see
Figure 6
; unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Dynamic characteristics
…continued
V
DD
Extrapolation formula
Min
Typ
Max
Unit
Table 8.
P
D
can be calculated from the formulas shown. V
SS
= 0 V; t
r
= t
f
≤
20 ns; T
amb
= 25
°
C.
Symbol
Parameter
V
DD
Typical formula for P
D
(
μ
W)
P
D
dynamic power
dissipation
10 V
P
D
= 3300
×
f
i
+
Σ
(f
o
×
C
L
)
×
V
DD2
15 V
P
D
= 8000
×
f
i
+
Σ
(f
o
×
C
L
)
×
V
DD2
Dynamic power dissipation P
D
Where:
f
i
= input frequency in MHz;
f
o
= output frequency in MHz;
C
L
= output load capacitance in pF;
V
DD
= supply voltage in V;
Σ
(f
o
×
C
L
) = sum of the outputs.
5 V
P
D
= 750
×
f
i
+
Σ
(f
o
×
C
L
)
×
V
DD2
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