參數(shù)資料
型號: HEF4104BP
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 通用總線功能
英文描述: Quad low-to-high voltage translator with 3-state outputs
封裝: HEF4104BP<SOT38-4 (DIP16)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT38-4.html<1<Always Pb-free,;HEF4104BT<SOT109-1 (SO16)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT109-1.html<1<week
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代理商: HEF4104BP
HEF4104B
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Product data sheet
Rev. 8 — 11 November 2011
4 of 15
NXP Semiconductors
HEF4104B
Quad low-to-high voltage translator with 3-state outputs
7. Limiting values
[1]
I
DD
is the combined current of I
DD(A)
and I
DD(B)
.
For DIP16 packages: above T
amb
= 70
C, P
tot
derates linearly at 12 mW/K.
For SO16 packages: above T
amb
= 70
C, P
tot
derates linearly at 8 mW/K.
[2]
[3]
8. Recommended operating conditions
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Voltages are referenced to V
SS
= 0 V (ground).
Symbol
Parameter
Conditions
V
DD(A)
supply voltage A
port A; V
DD(A)
V
DD(B)
V
DD(B)
supply voltage B
port B; V
DD(B)
V
DD(A)
I
IK
input clamping current
V
I
<
0.5 V or V
I
> V
DD(A)
+ 0.5 V
V
I
input voltage
I
OK
output clamping current
V
O
<
0.5 V or V
O
> V
DD(B)
+ 0.5 V
I
I/O
input/output current
I
DD
supply current
T
stg
storage temperature
T
amb
ambient temperature
P
tot
total power dissipation
T
amb
=
40
C to +85
C
DIP16
SO16
P
power dissipation
per output
Limiting values
Min
0.5
0.5
-
0.5
-
-
Max
+18
+18
10
V
DD(A)
+ 0.5
10
10
50
+150
+85
Unit
V
V
mA
V
mA
mA
mA
C
C
[1]
-
65
40
[2]
-
750
500
100
mW
mW
mW
[3]
-
-
Table 5.
Symbol
V
DD(A)
V
DD(B)
V
I
T
amb
t/
V
Recommended operating conditions
Parameter
supply voltage A
supply voltage B
input voltage
ambient temperature
input transition rise and fall rate
Conditions
Min
3
V
DD(A)
0
40
-
-
-
Typ
-
-
-
-
-
-
-
Max
V
DD(B)
15
V
DD(A)
+85
3.75
0.5
0.08
Unit
V
V
V
C
s/V
s/V
s/V
in free air
V
DD(A)
= 5 V
V
DD(A)
= 10 V
V
DD(A)
= 15 V
相關PDF資料
PDF描述
HEF4104BT Quad low-to-high voltage translator with 3-state outputs
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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HEF4104BT,652 功能描述:轉換 - 電壓電平 VOLT TRANSLATOR QUAD RoHS:否 制造商:Micrel 類型:CML/LVDS/LVPECL to LVCMOS/LVTTL 傳播延遲時間:1.9 ns 電源電流:14 mA 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MLF-8
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