參數(shù)資料
型號： HEF4023BT
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 通用總線功能
英文描述： Triple 3-input NAND gate
封裝： HEC4023BT<SOT108-1 (SO14)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT108-1.html<1<week 5, 2004,;HEC4023BT<SOT108-1 (SO14)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT108-1.html<1<week 5
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代理商： HEF4023BT
January 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
Triple 3-input NAND gate
HEF4023B
gates
AC CHARACTERISTICS
V
SS
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; C
L
= 50 pF; input transition times
≤
20 ns
V
DD
V
SYMBOL
TYP.
MAX.
TYPICAL EXTRAPOLATION
FORMULA
Propagation delays
I
n
→
O
n
HIGH to LOW
5
65
25
15
65
30
25
60
30
20
60
30
20
135
50
30
130
60
45
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
38 ns
+
(0,55 ns/pF) C
L
14 ns
+
(0,23 ns/pF) C
L
7 ns
+
(0,16 ns/pF) C
L
38 ns
+
(0,55 ns/pF) C
L
19 ns
+
(0,23 ns/pF) C
L
17 ns
+
(0,16 ns/pF) C
L
10 ns
+
(1,0 ns/pF) C
L
9 ns
+
(0,42 ns/pF) C
L
6 ns
+
(0,28 ns/pF) C
L
10 ns
+
(1,0 ns/pF) C
L
9 ns
+
(0,42 ns/pF) C
L
6 ns
+
(0,28 ns/pF) C
L
10
15
t
PHL
5
LOW to HIGH
10
15
t
PLH
Output transition times
HIGH to LOW
5
10
15
t
THL
5
LOW to HIGH
10
15
t
TLH
V
DD
V
TYPICAL FORMULA FOR P (
μ
W)
Dynamic power
dissipation per
package (P)
5
1200 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
5500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
16 400 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
where
f
i
= input freq. (MHz)
f
o
= output freq. (MHz)
C
L
= load capacitance (pF)
∑
(f
o
C
L
) = sum of outputs
V
DD
= supply voltage (V)
10
15
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