參數(shù)資料
型號(hào)： H11D2M
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光電耦合器
英文描述： IGBT; VCES (V): 400; Ic (A): 150; VGES (V): 4; Condition ICES at VCE=400V,VGE=0V (µA): 10; Condition IGES at VGE=VGES,VCE=0V (µA): ±10; Condition VGE (th) at VCE=10V,IC=1mA (V): 1.2; Package Code: PTSP0008JB-B (TTP-8DV)
中文描述： 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： PLASTIC, DIP-6
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 226K
代理商： H11D2M
tm
H
September 2007
2000 Fairchild Semiconductor Corporation
H11DXM, 4N38M, MOC8204M Rev. 1.0.2
www.fairchildsemi.com
H11D1M, H11D2M, H11D3M, 4N38M, MOC8204M
High Voltage Phototransistor Optocouplers
Features
■
High voltage:
– MOC8204M, BV
– H11D1M, H11D2M, BV
– H11D3M, BV
High isolation voltage:
– 7500 V
AC
peak, 1 second
Underwriters Laboratory (UL) recognized
File # E90700, Volume 2
CER
= 400V
CER
= 300V
CER
= 200V
■
■
Applications
■
Power supply regulators
Digital logic inputs
Microprocessor inputs
Appliance sensor systems
Industrial controls
■
■
■
■
General Description
The H11DXM, 4N38M and MOC8204M are photo-
transistor-type optically coupled optoisolators. A gallium
arsenide infrared emitting diode is coupled with a high
voltage NPN silicon phototransistor. The device is sup-
plied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
Schematic
EMITTER
COLLECTOR
1
2
3
ANODE
CATHODE
4
5
6 BASE
N/C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
H11D3M IGBT; VCES (V): 400; Ic (A): 150; VGES (V): 6; Condition ICES at VCE=400V,VGE=0V (µA): 10; Condition IGES at VGE=VGES,VCE=0V (µA): ±10; Condition VGE (th) at VCE=10V,IC=1mA (V): 1.5; Package Code: PTSP0008JB-B (TTP-8DV)
H11D4 HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11D4300 HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11D4300W HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11D43S HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
H11D2S 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11D2S_Q 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11D2SD 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11D2SM 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:6-PIN DIP, HV TRANS OUTPUT, SURFACE MOUNT - Bulk
H11D2SR2 制造商:Motorola Inc 功能描述:11D2SR2
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