HIP6601BECB-T

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功能描述
IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
RoHS
否
類別
集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
系列
-
配置
低端
輸入類型
非反相
延遲時間
40ns
電流 - 峰
9A
配置數(shù)
1
輸出數(shù)
1
高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）
-
電源電壓
4.5 V ~ 35 V
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-263
包裝
管件

HIP6601BECB-T 技術(shù)參數(shù)

HIP6601BECB 功能描述:IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP6601BCBZ-T 功能描述:功率驅(qū)動器IC SYNCH-RECT BUCK FET DRVR W/REDUCED POR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BCBZA-T 功能描述:功率驅(qū)動器IC W/ANNEAL SYNCH-RECT BUCK FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BCBZA 功能描述:功率驅(qū)動器IC W/ANNEAL SYNCH-RECT BUCK FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BCBZ 功能描述:功率驅(qū)動器IC SYNCH-RECT BUCK FET DRVR W/REDUCED POR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6602BCR-T HIP6602BCRZ HIP6602BCRZA HIP6602BCRZA-T HIP6602BCRZ-T HIP6603BCB HIP6603BCB-T HIP6603BCBZ HIP6603BCBZ-T HIP6603BECB HIP6603BECB-T HIP6603BECBZ HIP6603BECBZ-T HIP6604BCR HIP6604BCR-T HIP6604BCRZ HIP6604BCRZ-T HIP9011AB