HIP2103DBEVAL1Z

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說明
操作

HIP2103DBEVAL1Z
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Intersil
標準封裝
16+
-
百分百原裝假一罰十

HIP2103DBEVAL1Z
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
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RENESAS ELECTRONICS
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

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HIP2103DBEVAL1Z 技術參數(shù)

HIP2101IRZT 功能描述:功率驅(qū)動器IC 100V H-BRDG DRVR 5X5 MLFP RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2101IRZ 功能描述:功率驅(qū)動器IC 100V H-BRDG DRVR 5X5 MLFP RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2101IRT 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP2101IR4ZT 功能描述:功率驅(qū)動器IC 100V H-BRDG DRVR 12LD 4X4 RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2101IR4Z 功能描述:功率驅(qū)動器IC 100V H-BRDG DRVR 12LD RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2120FRTBZ HIP2120FRTBZ-T HIP2121FRTAZ HIP2121FRTAZ-T HIP2121FRTBZ HIP2121FRTBZ-T HIP2122FRTAZ HIP2122FRTAZ-T HIP2122FRTBZ HIP2122FRTBZ-T HIP2123FRTAZ HIP2123FRTAZ-T HIP2123FRTBZ HIP2123FRTBZ-T HIP-33B-MOUNT1E HIP4020IB HIP4020IBZ HIP4020IBZT