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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS84036B-100 |
| 英文描述： | x36 Fast Synchronous SRAM |
| 中文描述： | x36快速同步SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/31頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 717K |
| 代理商： | GS84036B-100 |
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Rev: 2.05 6/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
13/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
.
GS84018/32/36T/B-180/166/150/100
Simplified State Diagram
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
S
S
CR
R
CW
CR
CR
Notes:
1.
2.
The diagram shows only supported (tested) synchronous state transitions. The diagram presumes G is tied Low.
The upper portion of the diagram assumes active use of only the Enable (E
1,
E
2,
E
3
) and Write (B
A
, B
B
, B
C
, B
D
, BW and GW) control inputs
and that ADSP is tied high and ADSC is tied low.
The upper and lower portions of the diagram together assume active use of only the Enable, Write and ADSC control inputs and assumes
ADSP is tied high and ADV is tied low.
3.
This Material Copyrighted by Its Respective Manufacturer
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PDF描述 |
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