參數(shù)資料
型號： GS8161FZ36BGD-6.5
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM
中文描述： 512K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
文件頁數(shù)： 15/28頁
文件大?。?/td> 629K
代理商： GS8161FZ36BGD-6.5
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
GS8161FZ18/32/36BD
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 6/2006
15/28
2006, GSI Technology
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8161FZ36BGD-6.5I 18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM
GS8161FZ36BGD-7.5 18Mb Flow Through Synchronous NBT SRAM
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