GP2M005A050CG

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封裝
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說明
操作

GP2M005A050CG
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
24875
GLOBAL PO
剪切帶（CT
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

GP2M005A050CG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
GPTG
NA
最新批號
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功能描述
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
制造商
global power technologies group
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準
漏源極電壓（Vdss）
500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
4.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.5 歐姆 @ 2.25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
15nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
645pF @ 25V
功率 - 最大值
98.4W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝
D-Pak
標(biāo)準包裝
1

GP2M005A050CG 技術(shù)參數(shù)

GP2M004A065PG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:642pF @ 25V 功率 - 最大值:98.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準包裝:1 GP2M004A065FG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:642pF @ 25V 功率 - 最大值:32.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準包裝:1 GP2M004A060PG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:545pF @ 25V 功率 - 最大值:86.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準包裝:1 GP2M002A060FG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:360pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準包裝:1 GP2L26 功能描述:PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期感應(yīng)距離:0.031"（0.8mm）感應(yīng)方法:反射電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電流 - DC 正向（If）:50mA 輸出類型:光電達林頓管響應(yīng)時間:80μs，70μs 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD 工作溫度:-25°C ~ 85°C 標(biāo)準包裝:50 GP2M007A080F GP2M008A060CG GP2M008A060FG GP2M008A060FGH GP2M008A060HG GP2M008A060PG GP2M008A060PGH GP2M009A090FG GP2M009A090NG GP2M010A060F GP2M010A060H GP2M010A065F GP2M010A065H GP2M011A090NG GP2M012A060F GP2M012A060H GP2M012A080NG GP2M013A050F