參數(shù)資料
型號： FQAF65N06
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 49 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 588K
代理商： FQAF65N06
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Package Dimensions
15.50
±
0.20
3.60
±
0.20
2
±
0
4
±
0
1
±
0
1
±
0
10
°
1
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2
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0
1
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0
2
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0
2.00
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0.20
2.00
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0.20
4.00
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0.20
2.00
±
0.20
0.85
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0.03
2.00
±
0.20
5.50
±
0.20
3.00
±
0.20
(1.50)
3.30
±
0.20
2
±
0
1
±
0
3
±
0
2
±
0
5
±
0
0.75
+0.20
–0.10
0.90
+0.20
–0.10
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
TO-3PF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQAF6N70 700V N-Channel MOSFET
FQAF6N90 900V N-Channel MOSFET
FQAF6N80 800V N-Channel MOSFET
FQAF70N08 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQAF70N10 CAP 68PF 200V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
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參數(shù)描述
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FQAF6N80 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF6N90 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF70N08 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF70N10 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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