參數(shù)資料
型號(hào)： FQAF47P06
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 60V P-Channel MOSFET
中文描述： 38 A, 60 V, 0.026 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 710K
代理商： FQAF47P06
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2. May 2001
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -30V
V
DS
= -48V
※
Note : I
D
= -47 A
-
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
10
-1
10
0
10
1
10
2
175
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
-
D
0
100
200
300
400
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
175
℃
25
℃
-55
℃
※
Notes :
1. V
DS
= -30V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
GS
Top : - 15.0 V
- 10.0 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom : - 4.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQAF48N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQAF58N08 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQAF65N06 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FQAF6N70 700V N-Channel MOSFET
FQAF6N90 900V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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FQAF58N08 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF5N90 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF65N06 功能描述:MOSFET N-CH/60V/49A/0.016OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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