參數(shù)資料
型號： FQAF40N25
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： CA3106E36-5SB BBL ASSBY
中文描述： 24 A, 250 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 779K
代理商： FQAF40N25
15.50
±
0.20
3.60
±
0.20
2
±
0
4
±
0
1
±
0
1
±
0
10
°
1
±
0
2
±
0
2
±
0
1
±
0
1
±
0
2
±
0
2.00
±
0.20
2.00
±
0.20
4.00
±
0.20
2.00
±
0.20
0.85
±
0.03
2.00
±
0.20
5.50
±
0.20
3.00
±
0.20
(1.50)
3.30
±
0.20
2
±
0
1
±
0
3
±
0
2
±
0
5
±
0
0.75
+0.20
–0.10
0.90
+0.20
–0.10
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
相關PDF資料
PDF描述
FQAF44N08 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強型MOSFET)
FQAF44N10 100V N-Channel MOSFET
FQAF47P06 60V P-Channel MOSFET
FQAF48N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET)
FQAF58N08 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強型MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQAF44N08 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF44N10 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF46N15 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N - CHANNEL MOSFET
FQAF47P06 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQAF48N20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*