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參數資料
| 型號： | F1001C |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 專利金金屬化硅柵增強型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | F1001C |
F1001C POUT vs PIN IDQ=0.1A; F=175 MHZ VDS=28V
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
PIN IN WATTS
P
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
G
POUT
GAIN
Efficiency = 75%
POUT VS PIN GRAPH
F1001C
F1B 1 DIE Capacitance vs Vds
VDS IN VOLTS
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F1B 1DIE IV CURVE
Vds in Volts
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F1B 1 DIE GM & ID vs VG
Vgs in Volts
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1001 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1002 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F100314 | 1MM MINI CARD GUIDE ASSEMBLY |
| F100322 | Low Power 9-Bit Buffer |
| F100324 | LOW POWER HEX TTL-TO-ECL TRANSLATOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| F1002 | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1003 | 制造商:Pass & Seymour/Legrand 功能描述:A/V MODULATOR 3 CHANNEL GF |
| F100302DCQB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Quint 2-input OR/NOR Gate |
| F100304 | 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:LOW POWER QUINT AND / NAND GATE |
| F100314 | 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:LOW POWER QUINT DIFFERENTIAL LINE RECEIVER |
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