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FDT86256

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 功能描述
  • MOSFET 150V NCh MOSFET PowerTrench
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
FDT86256 技術(shù)參數(shù)
  • FDSD0630-H-R68M=P3 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 9.61A 8.6 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:FDSD0630 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:金屬 電感:680nH 容差:±20% 額定電流:9.61A 電流 - 飽和值:17A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:8.6 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-20°C ~ 100°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.276" 長(zhǎng) x 0.260" 寬（7.00mm x 6.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FDSD0630-H-8R2M=P3 功能描述:8.2μH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 70 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:FDSD0630 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:金屬 電感:8.2μH 容差:±20% 額定電流:3.4A 電流 - 飽和值:5.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:70 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-20°C ~ 100°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.276" 長(zhǎng) x 0.260" 寬（7.00mm x 6.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FDSD0630-H-6R8M=P3 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 3.7A 61 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:FDSD0630 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:金屬 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:3.7A 電流 - 飽和值:5.9A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:61 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-20°C ~ 100°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.276" 長(zhǎng) x 0.260" 寬（7.00mm x 6.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FDSD0630-H-5R6M=P3 功能描述:5.6μH Shielded Wirewound Inductor 4.2A 46 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:FDSD0630 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:5.6μH 容差:±20% 額定電流:4.2A 電流 - 飽和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:46 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:- 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.276" 長(zhǎng) x 0.260" 寬（7.00mm x 6.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FDSD0630-H-4R7M=P3 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 4.7A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:FDSD0630 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:4.7A 電流 - 飽和值:7.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:- 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.276" 長(zhǎng) x 0.260" 寬（7.00mm x 6.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FDTC-08ME-N-02M-00N-B-08-DANN FDTC-08M-F-01U-01C-A-DS FDTC-08S-B-00N-01A-A-04-EPAA FDTC-08S-E-00N-1A-A-04-EPNA FDTC-08S-E-00N-1A-A-06-EPNA FDTC-08S-E-00N-1A-A-08-EPNA FDTC-08S-E-00N-1A-A-DS FDTC-08S-G-00N-01A-B-02-DANA FDTC-10S-COUPLINGTRAY-6SCAPC FDU044AN03L FDU068AN03L FDU2572 FDU3580 FDU3706 FDU3N40TU FDU6030BL FDU6296 FDU6512A
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