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FSSA101005RNN00S

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • FSSA101005RNN00S
    FSSA101005RNN00S

    FSSA101005RNN00S

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Murata Electronics North

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，原裝正品

  • FSSA101005RNN00S
    FSSA101005RNN00S

    FSSA101005RNN00S

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • MURATA/村田

  • SMD

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
FSSA101005RNN00S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 28ohm @100MHz Plate Core
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Fair-Rite
  • 產(chǎn)品
  • Ferrite Cores
  • 阻抗
  • 365 Ohms
  • 容差
  • 最大直流電流
  • 最大直流電阻
  • 工作溫度范圍
  • - 55 C to + 125 C
  • 封裝 / 箱體
  • 端接類型
  • SMD/SMT
FSSA101005RNN00S 技術(shù)參數(shù)
  • FSS804-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 10V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FSS275-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 20V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FSS273-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 45V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2225pF @ 20V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FSS264-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1560pF @ 20V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FSS1500NST 功能描述:Surface Mount Force Sensor 1.5kgf (3.3lbs) 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:FSS 零件狀態(tài):有效 作用力:1.5kgf（3.3磅） 輸出:180mV 傳感器類型:表面貼裝 電壓 - 電源:3 V ~ 6 V 致動(dòng)器類型:滾珠 致動(dòng)器樣式/尺寸:圓形，1.98mm 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 FST100100 FST100150 FST10020 FST100200 FST10030 FST10035 FST10040 FST10045 FST10060 FST10080 FST10-140-BKTS FST-11.8D-14 FST-11A-10 FST-11A-11 FST-11A-20 FST-11A-5 FST-11A-7 FST-11A-8
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免責(zé)聲明：以上所展示的FSSA101005RNN00S信息由會(huì)員自行提供，F(xiàn)SSA101005RNN00S內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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