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FDN358P,G5V-1-5VDC,74LVC1G126GW,KRA303V-

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FDN358P,G5V-1-5VDC,74LVC1G126GW,KRA303V- 技術參數(shù)
  • FDN340P 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube FDMS2380 功能描述:MOSFET Dual Integ Solenoid RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube FDMF8705 功能描述:功率驅動器IC MLP 8X8 DRIVER PLUS FET MULTI-CHIP MODU RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDMF8704V 功能描述:功率驅動器IC Driver plus FET w/5v reg RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDMF8704 功能描述:功率驅動器IC Driver plus FET Multi-chip Module RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDN537N FDN5618P FDN5630 FDN5630_F095 FDN5632N_F085 FDN5632N-F085 FDN8601 FDN86246 FDN86265P FDN86501LZ FDP020N06B_F102 FDP020N06B-F102 FDP023N08B_F102 FDP023N08B-F102 FDP025N06 FDP027N08B FDP027N08B_F102 FDP027N08B-F102
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