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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ES29BDS800DB-80RTG |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8Mbit（3米x 8/512K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 698K |
| 代理商： | ES29BDS800DB-80RTG |
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ESI
35
Rev. 1D January 5, 2006
ES29LV800D
Excel Semiconductor inc.
A
ddress
OE#
WE#
DATA
2AAh
CE#
Vcc
RY/BY#
t
WC
Erase Command Sequence (last two cycles)
VA
SA
VA
t
AS
t
VCS
t
BUSY
t
WHWH2
In
Progress
Complete
55h
30h
t
WP
t
CS
t
WPH
t
RB
t
CH
Read Status Data
555h for chip erase
10h for chip erase
t
DS
t
DH
NOTES :
1. SA = sector address(for Sector Erase), VA = valid address for reading status data(see “Write Operation Status”).
2. These waveforms are for the word mode.
Figure 21. Chip/Sector Erase Operation Timings
AC CHARACTERISTICS
t
AH
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