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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ES29BDS640ET-90RTG |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8Mbit（3米x 8/512K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/50頁(yè) |
| 文件大小： | 698K |
| 代理商： | ES29BDS640ET-90RTG |
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ESI
34
Rev. 1D January 5, 2006
ES29LV800D
Excel Semiconductor inc.
NOTES :
1. PA = program address, PD = program data, Dout is the true data at the program address.
2. Illustration shows device in word mode.
A
ddress
OE#
WE#
DATA
555h
CE#
Vcc
RY/BY#
t
WC
Program Command Sequence (last two cycles)
PA
PA
PA
t
AS
t
VCS
t
BUSY
t
WHWH1
Status
Dout
A0h
PD
t
WP
t
CS
t
WPH
t
RB
t
CH
Read Status Data(last two cycles)
t
DS
t
DH
Figure 20. Program Operation Timings
AC CHARACTERISTICS
t
AH
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