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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ES29BDS640D-90RTG |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8Mbit（3米x 8/512K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 42/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 698K |
| 代理商： | ES29BDS640D-90RTG |
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ESI
42
Rev. 1D January 5, 2006
ES29LV800D
Excel Semiconductor inc.
A<18:12>
OE#
WE#
RESET#
CE#
Vcc
Figure 28. Sector Protection timings (A9 High-Voltage Method)
t
WPP1
0x01
t
ST
DQ
SAx
t
OE
SAy
t
OESP
t
CSP
t
ST
t
VIDR
t
VIDR
A
<0>
A
<1>
A
<6>
A
<9>
V
ID
V
ID
Table 15. AC CHARACTERISTICS
Parameter
Description
Value
Unit
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
30/35/50
ns
t
VIDR
Voltage Transition Time
Min
500
ns
t
WPP1
Write Pulse Width for Protection Operation
Min
150
us
t
WPP2
Write Pulse Width for Unprotection Operation
Min
15
ms
t
OESP
OE# Setup Time to WE# Active
Min
4
us
t
CSP
CE# Setup Time to WE# Active
Min
4
us
t
VLHT
Voltage transition time
Min
1
us
t
ST
Voltage Setup Time
Min
4
us
t
VLHT
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