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參數(shù)資料
| 型號： | ES29BDS160DB-80RTG |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導體有限公司 |
| 英文描述： | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8Mbit（3米x 8/512K × 16），3.0伏的CMOS只，引導扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 38/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 698K |
| 代理商： | ES29BDS160DB-80RTG |
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ESI
38
Rev. 1D January 5, 2006
ES29LV800D
Excel Semiconductor inc.
CE#
RESET#
RY/BY#
t
RSP
Figure 25. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
t
VIDR
Program or Erase Command Sequence
t
VIDR
t
RRB
V
ID
Vss,V
IL
,
or V
IH
WE#
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
t
RRB
RESET# Hold Time from RY/BY# High for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
AC CHARACTERISTICS
Table 13. Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ES29BDS160E-90WC | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS320D-90RTG | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS320E-90WC | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS320ET-90RTG | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400DB-80RTG | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ES29BDS160DT-70WC | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS160DT-90RTGI | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS160DT-90TGI | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS160E-12RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS160E-90WC | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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