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參數(shù)資料
| 型號： | ES29BDS160DB-80RTG |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8Mbit（3米x 8/512K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 32/50頁 |
| 文件大小： | 698K |
| 代理商： | ES29BDS160DB-80RTG |
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ESI
32
Rev. 1D January 5, 2006
ES29LV800D
Excel Semiconductor inc.
Address Input
CE#
BYTE#
t
FHQV
DQ15
Output
Data Output
(DQ0-DQ7
)
Data Output
(DQ0-DQ7)
Data Output
(DQ0-DQ14)
Address Input
DQ15
Output
Data Output
(DQ0-DQ14)
t
FLQZ
t
ELFL
t
ELFH
OE#
DQ
15/A-1
BYTE#
DQ
0-DQ14
DQ
15/A-1
BYTE# Switching
Switching from
word to byte mode
The falling edge of the last WE# signal
CE#
BYTE#
WE#
t
SET
(t
AS
)
t
HOLD
(t
AH
)
Figure 19. BYTE# Timing for Write Operations
Figure 18. BYTE# Timing for Read Operations
AC CHARACTERISTICS
Table 11. Word/Byte Configuration (BYTE#)
Note :
Refer to the Erase/Program Operations table for t
AS
and t
AH
specifications.
Parameter
Description
70
90
120
Unit
JEDEC
Std.
t
ELFL
/t
ELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
5
ns
t
FLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
25
30
30
ns
t
FHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
70
90
120
ns
BYTE# Switching
Switching from
byte to word mode
DQ
0-DQ14
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PDF描述 |
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