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參數(shù)資料
| 型號： | ES29BDS160DB-80RTG |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8Mbit（3米x 8/512K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 698K |
| 代理商： | ES29BDS160DB-80RTG |
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ESI
27
Rev. 1D January 5, 2006
ES29LV800D
Excel Semiconductor inc.
DC CHARACTERISTICS
Table 7. CMOS Compatible
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Load Current
V
IN
=Vss to Vcc
Vcc=Vcc max
+ 1.0
uA
I
LIT
A9 Input Load Current
Vcc=Vcc max; A9=12.5V
35
uA
I
LR
RESET# Input Load Current
Vcc=Vcc max; RESET#=12.5V
35
uA
I
LO
Output Leakage Current
Vout=Vss to Vcc,
Vcc=Vcc max
+ 1.0
uA
I
CCI
Vcc Active Read Current
(Notes 1,2)
CE#=V
IL
OE#=V
IH
, Byte
mode
5MHz
7
15
mA
1MHz
2
4
CE#=V
IL
, OE#=V
IH
, Word
mode
5MHz
7
15
1MHz
2
4
I
CC2
Vcc Active Write Current (Note 2,3)
CE#=V
IL
, OE#=V
IH
, WE#=V
IL
15
30
mA
I
CC3
Vcc Standby Current (Note 2)
CE#, RESET#= Vcc+0.3V
0.2
10
uA
I
CC4
Vcc Reset Current (Note 2)
RESET#=Vss + 0.3V
0.2
10
uA
I
CC5
Automatic Sleep Mode
(Notes2,4)
V
IH
= Vcc + 0.3V
V
IL
= Vss + 0.3V
0.2
10
uA
V
IL
Input Low Voltage
-0.5
0.5
V
V
IH
Input High Voltage
0.7xVcc
Vcc+0.3
V
V
ID
Voltage for Autoselect and
Temporary Sector Unprotect
Vcc = 3.0V + 10%
11.5
12.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 4.0 mA, Vcc = Vcc min
0.45
V
V
OH1
Output High Voltage
I
OH
= -2.0mA, Vcc = Vcc min
0.85 Vcc
V
V
OH2
I
OH
= -100 uA, Vcc = Vcc min
Vcc - 0.4
V
LKO
Low Vcc Lock-Out Voltage (Note 5)
2.3
2.5
V
Notes:
1. The Icc current listed is typically less than 2 mA/MHz, with OE# at V
IH
,
Typical condition : 25
o
C, Vcc = 3V
2. Maximum I
CC
specifications are tested with Vcc = Vcc max.
3. Icc active while Embedded Erase or Embedded Program is in progress.
4. Automatic sleep mode enables the low power mode when addresses remain stable for t
ACC
+ 30ns. Typical sleep mode current is
200 nA.
5. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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