參數(shù)資料
型號(hào)： EMZ6.8JA
廠商： Rohm CO.,LTD.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 125K
代理商： EMZ6.8JA
EMZ6.8JA
Diodes
z
Electrical characteristic curves
(Ta=25
°
C)
2/2
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
R
R
IR DISRESION MAP
C
T
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
Ct DISRESION MAP
C
B
Z
ZENER VOLTAGE:Vz(V)
Vz-Iz CHARACTERISTICS
Vz DISRESION MAP
Z
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
T
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=75℃
Ta=125℃
Ta=150℃
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
Ta=25℃
VR=3.5V
n=30pcs
AVE:0.0143nA
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
f=1MHz
15
15.5
16
16.5
17
17.5
18
18.5
19
19.5
20
AVE:19.06pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
0.01
0.1
1
10
6
6.5
7
7.5
8
Ta=75℃
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=25℃
Ta=150℃
D
ZENER CURRENT(mA)
Zz-Iz CHARACTERISTICS
1
10
100
0.1
1
10
6.7
6.8
6.9
7
7.1
7.2
AVE:6.954V
Ta=25℃I
Z=5mA
n=30pcs
1
0.001
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
Mounted on epoxy board
1ms
IM=1mA
IF=100mA
300us
time
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EMZ6.8N EMZ6.8N
EMZ7 General purpose transistor(dual transistors)
EMZ8 Power management (dual transistors)
EN27LV020 2Megabit Low Voltage EPROM (256K x 8)
EN27LV020-120 2Megabit Low Voltage EPROM (256K x 8)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EMZ7 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor(dual transistors)
EMZ7_08 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor (dual transistors)
EMZ7_1 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor (dual transistors)
EMZ7T2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP 12V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
EMZ8 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors)
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