- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384278 > EDD5104ADTA-E (Elpida Memory, Inc.) 512M bits DDR SDRAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | EDD5104ADTA-E |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits DDR SDRAM |
| 中文描述： | 512M比特DDR內存 |
| 文件頁數： | 43/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 568K |
| 代理商： | EDD5104ADTA-E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁當前第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁
EDD5104ADTA-E, EDD5108ADTA-E, EDD5116ADTA-E
Preliminary Data Sheet E0501E10 (Ver. 1.0)
43
Mode Register Set Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
/CK
CK
CKE
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BA
Address
DM
DQ (output)
b
valid
code
code
tRP
Precharge
If needed
Mode
register
set
Bank 3
Active
Bank 3
Read
R: b
C: b
VIH
Bank 3
Precharge
tMRD
High-Z
High-Z
CL = 2
BL = 4
= VIH or VIL
DQS
Read/Write Cycle
R:a
C:a
C:b
R:b
C:b''
b’’
Bank 0
Active
Bank 3
Active
Bank 0
Read
Bank 3
Read
CKE
/RAS
/CS
DQS
/CAS
/WE
Address
CK
BA
DQ (output)
DQ (input)
/CK
Bank 3
Write
tWRD
High-Z
VIH
tRWD
b
Read cycle
CL = 2
BL = 4
=VIH or VIL
DM
a
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDD5104ADTA-7AL-E | 512M bits DDR SDRAM |
| EDD5104ABTA | 512M bits DDR SDRAM |
| EDD5104ABTA-6B | 512M bits DDR SDRAM |
| EDD5104ABTA-7A | 512M bits DDR SDRAM |
| EDD5104ABTA-7B | 512M bits DDR SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| EDD5108ABTA | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR SDRAM |
| EDD5108ABTA-6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR SDRAM |
| EDD5108ABTA-7A | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR SDRAM |
| EDD5108ABTA-7B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR SDRAM |
| EDD5108ADTA | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。