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參數(shù)資料
| 型號： | EDD5104ADTA-6B |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits DDR SDRAM |
| 中文描述： | 128M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 35/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 568K |
| 代理商： | EDD5104ADTA-6B |
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EDD5104ADTA-E, EDD5108ADTA-E, EDD5116ADTA-E
Preliminary Data Sheet E0501E10 (Ver. 1.0)
35
A Read command to the consecutive Precharge command interval (same bank):
To output all data
To complete a burst read operation and get a burst length of data, the consecutive precharge command must be
issued tRPD (= BL/ 2 cycles) after the read command is issued.
out0 out1 out2 out3
CK
/CK
DQ
DQS
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
tRPD = BL/2
READ
NOP
NOP
NOP
PRE/
PALL
READ to PRECHARGE Command Interval (same bank): To output all data (CL = 2, BL = 4)
out0 out1 out2 out3
CK
/CK
DQ
DQS
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
tRPD = BL/2
READ
NOP
NOP
NOP
PRE/
PALL
READ to PRECHARGE Command Interval (same bank): To output all data (CL = 2.5, BL = 4)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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