參數(shù)資料
型號： E28F320J3A-110
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： 3 Volt Intel StrataFlash⑩ Memory
中文描述： 2M X 16 FLASH 2.7V PROM, 110 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 39/58頁
文件大?。?/td> 380K
代理商： E28F320J3A-110
28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
Preliminary
33
0606_09
Figure 10. Block Erase Flowchart
Start
Read
Status Register
SR.7 =
Erase Flash
Block(s) Complete
0
1
Full Status
Check if Desired
Suspend Erase
Issue Single Block Erase
Command 20H, Block
Address
Suspend
Erase Loop
Write Confirm D0H
Block Address
Yes
No
Bus
Operation
Command
Comments
Write
Erase Block
Data = 20H
Addr = Block Address
Data = D0H
Addr = X
Status register data
With the device enabled,
OE# low updates SR
Addr = X
Check SR.7
1 = WSM Ready
0 = WSM Busy
Write (Note 1)
Erase
Confirm
Read
Standby
1. The Erase Confirm byte must follow Erase Setup.
This device does not support erase queuing. Please see
Application note AP-646 For software erase queuing
compatibility.
Full status check can be done after all erase and write
sequences complete. Write FFH after the last operation to
reset the device to read array mode.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
E28F320J3A-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
E28F320J3A-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
E28F320J3A-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
E28F320J3A-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
E28F320J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
E28F320J3A110SL5FS 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
E28F320J3A-115 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
E28F320J3A-120 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
E28F320J3A-125 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
E28F320J3A-150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
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