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ECHU1H224GX9

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

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    地址：中國上海

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  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

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  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    聯(lián)系人：王小姐

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    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 36200

  • PANASONIC

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  • 深圳市一線半導體有限公司
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    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

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  • ECHU1H224GX9
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  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人：田小姐/高先生/李小姐

    電話：0755-828102988281039882810298

    地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D（地王大廈周邊）

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • 15+

  • -

  • 深圳現(xiàn)貨★原廠品質(zhì)★提供PCB板配單業(yè)務

  • ECHU1H224GX9
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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

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  • PANASONIC

  • C23-電容器

  • 2020.12.23

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  • ECHU1H224GX9
    ECHU1H224GX9

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

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  • PANASONIC

  • SMD

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  • 1
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  • 制造商
  • Panasonic Industrial Devices
  • 功能描述
  • CHIP FILM 0.22UF +/-2% 50V
ECHU1H224GX9 技術參數(shù)
  • ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A，2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:93 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH-U1H272JB5 ECH-U1H272JX5 ECH-U1H273GB5 ECH-U1H273GX5 ECH-U1H273JB5 ECH-U1H273JX5 ECH-U1H331GB5 ECH-U1H331GX5 ECH-U1H331JB5 ECH-U1H331JX5 ECH-U1H332GB5 ECH-U1H332GX5 ECH-U1H332JB5 ECH-U1H332JX5 ECH-U1H333GB5 ECH-U1H333GX5 ECH-U1H333JB5 ECH-U1H333JX5
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