ECH-U1H563GC9

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

ECH-U1H563GC9
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

ECH-U1H563GC9
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Panasonic Electronic Comp
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝

ECH-U1H563GC9
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
195685
PANASONIC
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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1

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功能描述
CAP FILM 0.056UF 50VDC 1913
RoHS
是
類別
電容器 >> 薄膜
系列
ECH-U(C)
特色產(chǎn)品
ECW-H(C) Series Film Capacitors
標準包裝
100
系列
ECW-H(C)
電容
0.33µF
額定電壓 - AC
-
額定電壓 - DC
630V
電介質(zhì)材料
聚丙烯，金屬化
容差
±3%
ESR（等效串聯(lián)電阻）
-
工作溫度
-40°C ~ 105°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
徑向
尺寸/尺寸
0.815" L x 0.579" W（20.70mm x 14.70mm）
高度 - 座高（最大）
1.028"（26.10mm）
端子
PC 引腳
引線間隔
0.394"（10.00mm）
特點
高頻和高穩(wěn)定性
應用
-
包裝
散裝
其它名稱
ECWH6334HCBP15432

ECH-U1H563GC9 技術(shù)參數(shù)

ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A，2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:93 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH-U1H682JB5 ECH-U1H682JX5 ECH-U1H683GC9 ECH-U1H683GX9 ECH-U1H683JC9 ECH-U1H683JX9 ECH-U1H821GB5 ECH-U1H821GX5 ECH-U1H821JB5 ECH-U1H821JX5 ECH-U1H822GB5 ECH-U1H822GX5 ECH-U1H822JB5 ECH-U1H822JX5 ECH-U1H823GC9 ECH-U1H823GX9 ECH-U1H823JC9 ECH-U1H823JX9