品牌 | 進(jìn)口 | 型號 | 2sc2625 |
應(yīng)用范圍 | 開關(guān) | 功率特性 | 大功率 |
頻率特性 | 高頻 | 極性 | pnp型 |
結(jié)構(gòu) | 點(diǎn)接觸型 | 材料 | 硅(si) |
封裝形式 | 直插型 | 封裝材料 | 金屬封裝 |
特征頻率 | ..mhz(mhz) | 集電極允許電流 | ..a(a) |
集電極最大允許耗散功率 | ..w(w) | 營銷方式 | 現(xiàn)貨 |
產(chǎn)品性質(zhì) | 熱銷 |
晶體三極管(以下簡稱三極管)按材料分有兩種:鍺管和硅管。而每一種又有npn和pnp兩種結(jié)構(gòu)形式,但使用最多的是硅npn和鍺pnp兩種三極管,兩者除了電源極性不同外,其工作原理都是相同的,下面僅介紹npn硅管的電流放大原理。 對于npn管,它是由2塊n型半導(dǎo)體中間夾著一塊p型半導(dǎo)體所組成,發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的pn結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的pn結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為發(fā)射極e、基極b和集電極c。 當(dāng)b點(diǎn)電位高于e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí),發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài),而c點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位幾伏時(shí),集電結(jié)處于反偏狀態(tài),集電極電源ec要高于基極電源ebo。 在制造三極管時(shí),有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的,同時(shí)基區(qū)做得很薄,而且,要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量,這樣,一旦接通電源后,由于發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(電子)極基區(qū)的多數(shù)載流子(空穴)很容易地越過發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散,但因前者的濃度基大于后者,所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流,這股電子流稱為發(fā)射極電流了。 由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏,注入基區(qū)的電子大部分越過集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電集電流ic,只剩下很少(1-10%)的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合,被復(fù)合掉的基區(qū)空穴由基極電源eb重新補(bǔ)給,從而形成了基極電流ibo.根據(jù)電流連續(xù)性原理得: ie=ib+ic 這就是說,在基極補(bǔ)充一個(gè)很小的ib,就可以在集電極上得到一個(gè)較大的ic,這就是所謂電流放大作用,ic與ib是維持一定的比例關(guān)系,即: β1=ic/ib 式中:β1--稱為直流放大倍數(shù), 集電極電流的變化量△ic與基極電流的變化量△ib之比為: β= △ic/△ib 式中β--稱為交流電流放大倍數(shù),由于低頻時(shí)β1和β的數(shù)值相差不大,所以有時(shí)為了方便起見,對兩者不作嚴(yán)格區(qū)分,β值約為幾十至一百多。 三極管是一種電流放大器件,但在實(shí)際使用中常常利用三極管的電流放大作用,通過電阻轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩? 三極管放大時(shí)管子內(nèi)部的工作原理 1、發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子 電源ub經(jīng)過電阻rb加在發(fā)射結(jié)上,發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子)不斷地越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū),形成發(fā)射極電流ie。同時(shí)基區(qū)多數(shù)載流子也向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散,但由于多數(shù)載流子濃度遠(yuǎn)低于發(fā)射區(qū)載流子濃度,可以不考慮這個(gè)電流,因此可以認(rèn)為發(fā)射結(jié)主要是電子流。 2、基區(qū)中電子的擴(kuò)散與復(fù)合 電子進(jìn)入基區(qū)后,先在靠近發(fā)射結(jié)的附近密集,漸漸形成電子濃度差,在濃度差的作用下,促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴(kuò)散,被集電結(jié)電場拉入集電區(qū)形成集電極電流ic。也有很小一部分電子(因?yàn)榛鶇^(qū)很?。┡c基區(qū)的空穴復(fù)合,擴(kuò)散的電子流與復(fù)合電子流之比例決定了三極管的放大能力。 3、集電區(qū)收集電子 由于集電結(jié)外加反向電壓很大,這個(gè)反向電壓產(chǎn)生的電場力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴(kuò)散,同時(shí)將擴(kuò)散到集電結(jié)附近的電子拉入集電區(qū)從而形成集電極主電流icn。另外集電區(qū)的少數(shù)載流子(空穴)也會(huì)產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng),流向基區(qū)形成反向飽和電流,用icbo來表示,其數(shù)值很小,但對溫度卻異常敏感。