兩極晶體管 - BJT MMBT4355_Q品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

MMBT4355_Q • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
MMBT4355_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose 可訂貨
BCP55_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT SOT-223 NPN GP AMP 可訂貨
KSA1174FTA_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor 可訂貨
KSC2331OTA_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor 可訂貨
KSC2756OMTF_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor 可訂貨
FFB3906_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose 可訂貨
KSE13005FH2 Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT 可訂貨
KSD471ACGTA_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor 可訂貨
MMBT4355_Q • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT
描述: 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Fairchild Semiconductor
配置 Single
晶體管極性 PNP
集電極—基極電壓 VCBO 60 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO 60 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO 5 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流 0.8 A
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min 60 at 100 uA at 10 V
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 SOT-23