MOSFET IPB039N10N3GE818XT品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPB039N10N3GE818XT • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
IPB039N10N3GE818XT Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor 可訂貨
IPB100N04S2L03 Infineon Technologies MOSFET MOSFET 可訂貨
IPB039N10N3GE818XT • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Infineon Technologies
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 40 V
閘/源擊穿電壓 +/- 20 V
漏極連續(xù)電流 80 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 3.9 mOhms at 10 V
配置 Single
最大工作溫度 + 175 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 PG-TO263-3
封裝