兩極晶體管 - BJT 2SA1962-O(Q,T)品牌、價格、PDF參數(shù)

2SA1962-O(Q,T) • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格(人民幣)
2SA1962-O(Q,T) Toshiba 兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 230V 15A 1251 1:￥18.98
10:￥15.18
100:￥12.90
250:￥11.39
HN7G08FE-A(TE85L,F Toshiba 兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA 11988 1:￥0.621
10:￥0.483
100:￥0.414
250:￥0.38
HN7G01FU-A(T5L,F,T Toshiba 兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA 8550 1:￥0.621
10:￥0.483
100:￥0.414
250:￥0.38
HN7G05FU(TE85L,F) Toshiba 兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V Vds=20V Ic=-100ma Id=50mA 8898 1:￥0.621
10:￥0.483
100:￥0.414
250:￥0.38
HN7G02FE(TE85L,F) Toshiba 兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V Vds20V Ic=-100ma Id=50mA 11910 1:￥0.621
10:￥0.483
100:￥0.414
250:￥0.38
2SA1962-O(Q,T) • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT
描述: 兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 230V 15A
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Toshiba
配置 Single
晶體管極性 PNP
集電極—基極電壓 VCBO 230 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO - 230 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO - 5 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流 15 A
增益帶寬產(chǎn)品fT 30 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min 35
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 Through Hole
封裝 / 箱體 TO-3P