兩極晶體管 - BJT FJBE2150DTU品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

FJBE2150DTU • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
FJBE2150DTU Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor 可訂貨
FJBE2150DTU • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT
描述: 兩極晶體管 - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Fairchild Semiconductor
配置 Single
晶體管極性 NPN
集電極—基極電壓 VCBO 1.25 kV
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO 800 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO 12 V
集電極—射極飽和電壓 0.25 V
最大直流電集電極電流 2 A
增益帶寬產(chǎn)品fT 5 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min 20
最大工作溫度 + 125 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 D2PAK-2