MOSFET IPB019N08N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IPB019N08N3 G • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格(人民幣) |
| IPB019N08N3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH
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可訂貨 |
605:￥24.77
1,000:￥19.46
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IPB019N08N3 G • PDF參數(shù)
| 類別: |
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
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| 描述: |
MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH
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| RoHS: |
否
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| PDF參數(shù): |
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| 制造商 |
Infineon Technologies |
| 晶體管極性 |
N-Channel |
| 汲極/源極擊穿電壓 |
80 V |
| 閘/源擊穿電壓 |
+/- 20 V |
| 漏極連續(xù)電流 |
180 A |
| 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） |
0.0019 Ohms at 10 V |
| 配置 |
Single Quint Source |
| 最大工作溫度 |
+ 175 C |
| 安裝風(fēng)格 |
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| 封裝 / 箱體 |
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| 封裝 |
Reel |