MOSFET SIA817EDJ-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIA817EDJ-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格(人民幣)
SiA817EDJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III 可訂貨
SIA817EDJ-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Vishay Semiconductors
晶體管極性 P-Channel
汲極/源極擊穿電壓 - 30 V
閘/源擊穿電壓 12 V
漏極連續(xù)電流 - 4.5 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 0.125 Ohms
配置 Dual
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 SC-70-6
封裝 Reel