MOSFET SIHP8N50D-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIHP8N50D-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
SiHP8N50D-GE3 Vishay/Siliconix MOSFET 500V 8A 850mOhm @ 10V 可訂貨
SIHP8N50D-GE3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 500V 8A 850mOhm @ 10V
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 500 V
閘/源擊穿電壓 30 V
漏極連續(xù)電流 8.7 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 850 mOhms
配置 Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格 Through Hole
封裝 / 箱體 TO-220
封裝 Bulk