MOSFET SIR640DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIR640DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
SIR640DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix MOSFET 40V 1.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET 5937 1:￥15.73
10:￥12.08
100:￥10.97
250:￥9.87
3,000:￥5.83
6,000:￥0
SIR640DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 40V 1.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 40 V
閘/源擊穿電壓 +/- 20 V
漏極連續(xù)電流 60 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 1.7 mOhms at 10 V
配置 Single Quad Drain Triple Source
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 PowerPAK SO-8
封裝 Reel