分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4913DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI4913DY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI4913DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 2,500 2,500:$1.21500
5,000:$1.17000
12,500:$1.12500
25,000:$1.10250
62,500:$1.08000
SI4913DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 4,789 1:$3.15000
25:$2.43000
100:$2.20500
250:$1.98000
500:$1.71000
1,000:$1.44000
SI4913DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 4,789 1:$3.15000
25:$2.43000
100:$2.20500
250:$1.98000
500:$1.71000
1,000:$1.44000
SI4913DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個 P 溝道（雙）
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 15 毫歐 @ 9.4A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 500µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)