分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI7913DN-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI7913DN-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK 14,229 1:$1.86000
25:$1.43120
100:$1.29850
250:$1.16600
500:$1.00700
1,000:$0.84800
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK 14,229 1:$1.86000
25:$1.43120
100:$1.29850
250:$1.16600
500:$1.00700
1,000:$0.84800
SI7913DN-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個 P 溝道（雙）
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 37 毫歐 @ 7.4A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8 雙
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? 1212-8 Dual
包裝: 剪切帶 (CT)