分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4830CDY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4830CDY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4830CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.49140
5,000:$0.46683
12,500:$0.44752
25,000:$0.43524
62,500:$0.42120
SI4830CDY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫歐 @ 8A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 950pF @ 15V
功率 - 最大: 2.9W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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