分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4500BDY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI4500BDY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI4500BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 8-SOIC 0 2,500:$0.43680
5,000:$0.41496
12,500:$0.39780
25,000:$0.38688
62,500:$0.37440
SI3586DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 695 1:$1.10000
25:$0.87000
100:$0.78300
250:$0.68152
500:$0.60900
1,000:$0.47850
SI3586DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 695 1:$1.10000
25:$0.87000
100:$0.78300
250:$0.68152
500:$0.60900
1,000:$0.47850
SI4500BDY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6.6A，3.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫歐 @ 9.1A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)