分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 2SK3666-4-TB-E品牌、價格、PDF參數(shù)

2SK3666-4-TB-E • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
2SK3666-4-TB-E ON Semiconductor MOSFET J-FET N-CH 30V 10MA CP 0 6,000:$0.08653
2SK3666-4-TB-E • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
漏極電流 (Id) - 最大: 10mA
FET 型: N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS): 30V
電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id: 180mV @ 1µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4pF @ 10V
電阻 - RDS（開）: 200 歐姆
安裝類型: *
包裝: *
封裝/外殼: *
供應(yīng)商設(shè)備封裝: *
功率 - 最大: 200mW